三星電子已與長江存儲達成技術(shù)合作，計劃于今年下半年開始運用中國的存儲專利技術(shù)制造芯片。近日，三星與長江存儲簽訂了關(guān)于NAND Flash“混合鍵合”技術(shù)的專利許可協(xié)議，該技術(shù)是實現(xiàn)400多層堆疊的關(guān)鍵。

三星預(yù)計將在2025年下半年，利用長江存儲的專利技術(shù)，開始量產(chǎn)下一代V10 NAND芯片。此次三星選擇引入長江存儲的技術(shù)，主要因為后者在“混合鍵合”技術(shù)上處于世界領(lǐng)先地位。

經(jīng)過內(nèi)部評估，三星認(rèn)為從V10 NAND起，其技術(shù)發(fā)展已無法回避長江存儲的專利技術(shù)影響。這一合作不僅代表了國際科技巨頭對中國技術(shù)創(chuàng)新的認(rèn)可，也展示了中國在存儲技術(shù)領(lǐng)域的進步和實力，標(biāo)志著中國科技自主創(chuàng)新的顯著成果。

樂玩編輯部
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